Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2015

01.11.2015

Ag nanoparticle catalyst based on Ga2O3/GaAs semiconductor nanowire growth by VLS method

verfasst von: Tien Dai Nguyen, Eui Tae Kim, Khac An Dao

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2015

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

In this paper, we report the synthesis results of Ga2O3 semiconductor nanowires (NWs) on GaAs (100) semi-insulator substrate by vapor liquid solid (VLS) method. Our study based on Ag nanoparticle (AgNP) catalyst, in which prepared by conventional sol–gel method. As the GaAs wafer, after being deposited an AgNP layer in HF/AgNO3 aqueous solution, which dried and loaded to vacuum-chamber. GaAs slices heated in vacuum-furnace by VLS method with two temperature modes. The results showed that the Ga2O3 NW morphologies and properties depend strongly on technological conditions, such as AgNP catalyst concentration, growth temperature, and vapor pressure. It is also indicated that the NW random grown over large area with the diameter in the region conform from 18 to 30 nm scale and lengths ranging from several tens of nm to a few hundred micrometers.
Vorheriger Artikel Dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties of Ca0.1Sr0.9Bi2Nb2O9 ceramic
Nächster Artikel Magnesium doped zinc oxide nanocrystals for photo-catalytic applications

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
M.S. Dresselhaus et al., Nanowires, in Springer Handbook of Nanotechnology, ed. by B. Bhushan (Springer, Berlin, Heidelberg, 2004), pp. 99–146
2.
T. Akiyama et al., Role of the Au/GaAs(111) interface on the wurtzite-structure formation during GaAs nanowire growth by a vapor–liquid–solid mechanism. Phys. Rev. B 79(15), 153406 (2009)CrossRef
3.
S.A. Dayeh et al., Structural and room-temperature transport properties of zinc blende and WURTZITE InAs nanowires. Adv. Funct. Mater. 19(13), 2102–2108 (2009)CrossRef
4.
C. Zhang et al., Site-controlled VLS growth of planar nanowires: yield and mechanism. Nano Lett. 14(12), 6836–6841 (2014)CrossRef
5.
K.P. Bassett, P.K. Mohseni, X. Li, Evolution of GaAs nanowire geometry in selective area epitaxy. Appl. Phys. Lett. 106(13), 133102 (2015)CrossRef
6.
K. Dao et al., On the formation of voids, etched holes, and GaO particles configuration during the nanowires growth by VLS method on GaAs substrate. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 24(7), 2513–2520 (2013)CrossRef
7.
K. Dao et al., The effects of Au surface diffusion to formation of Au droplets/clusters and nanowire growth on GaAs substrate using VLS method. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 23(11), 2065–2074 (2012)CrossRef
8.
N. Han et al., Low-temperature growth of highly crystalline β-Ga(2)O(3) nanowires by solid-source chemical vapor deposition. Nanoscale Res. Lett. 9(1), 347 (2014)  CrossRef
9.
V. Schmidt et al., Silicon nanowires: a review on aspects of their growth and their electrical properties. Adv. Mater. 21(25–26), 2681–2702 (2009)CrossRef
10.
R.S. Wagner, W.C. Ellis, Vapor–liquid–solid mechanism of single crystal growth. Appl. Phys. Lett. 4(5), 89–90 (1964)CrossRef
11.
K. Dao et al., The influences of technological conditions and Au cluster islands on morphology of Ga2O3 nanowires grown by VLS method on GaAs substrate. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 22(2), 204–216 (2011)CrossRef
12.
P. Krogstrup, Dynamical theory and experiments on GaAs nanowire growth for photovoltaic applications, Faculty of Science (University of Copenhagen, Denmark, 2012), p. 138
13.
J. Zha, H. Roggendorf, Sol–gel Science, the Physics and Chemistry of Sol–gel Processing, edited by C. J. Brinker, G. W. Scherer (Academic Press, Boston, 1990), xiv, 908 pp. Adv. Mater. 3(10), 522 (1991)
14.
M. Becker et al., Nanowires enabling signal-enhanced nanoscale Raman spectroscopy. Small 4(4), 398–404 (2008)CrossRef
15.
I. Yoon et al., Single nanowire on a film as an efficient SERS-active platform. J. Am. Chem. Soc. 131(2), 758–762 (2009)CrossRef
16.
M. Panagopoulou et al., Raman enhancement of rhodamine adsorbed on Ag nanoparticles self-assembled into nanowire-like arrays. Nanoscale Res. Lett. 6(1), 629 (2011)CrossRef
17.
Y. He et al., Silicon nanowires-based highly-efficient SERS-active platform for ultrasensitive DNA detection. Nano Today 6(2), 122–130 (2011)CrossRef
18.
Y.F. Zhang et al., Germanium nanowires sheathed with an oxide layer. Phys. Rev. B 61(7), 4518–4521 (2000)CrossRef
19.
S.A. Dayeh, E.T. Yu, D. Wang, Surface diffusion and substrate-nanowire adatom exchange in InAs nanowire growth. Nano Lett. 9(5), 1967–1972 (2009)CrossRef
20.
J.D. Scofield, J.E. Davison, S.R. Smith, Calculation of phase diagrams for metal-GaAs systems. DTIC Document (1991)
Metadaten
Titel
Ag nanoparticle catalyst based on Ga2O3/GaAs semiconductor nanowire growth by VLS method
verfasst von
Tien Dai Nguyen
Eui Tae Kim
Khac An Dao
Publikationsdatum
01.11.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3552-8

Weitere Artikel der Ausgabe 11/2015

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2015 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Controlled preparation of TiO2 hollow microspheres constructed by crosslinked nanochains with high photocatalytic activity

OriginalPaper

An efficient method to functionalize soybean protein fiber for fuse wire application

OriginalPaper

Characterization of a fast grown GaAs:Sn thin film by thermionic vacuum arc

OriginalPaper

Magnesium doped zinc oxide nanocrystals for photo-catalytic applications

OriginalPaper

Enhanced photoluminescence of K2Ba(WO4)2:Eu3+ by Cl− co-doping

OriginalPaper

Prepare an effective nano size core shell photocatalyst for degradation of methyl orange

Neuer Inhalt

    Bildnachweise