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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 10/2014

01.10.2014

Dependence of electrical field and photoresponse on multiplication region thickness for GaN APDs

verfasst von: Jingjing Wanyan, Zhaoqi Sun, Shiwei Shi, Mingzai Wu, Gang He, Guang Li

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 10/2014

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Abstract

A visible-blind ultraviolet GaN back-illuminated avalanche photodiode with separate absorption and multiplication regions (SAM APDs) are simulated based on drift-diffusion equation. The current–voltage characteristics of the device have been numerically obtained. The result is in good agreement with the experimental data. It was found that the thickness of the multiplication layer is important to improve the electrical field profiles and spectral response characteristics. A peak responsivity of 106.5 mA/W is achieved at 364 nm corresponding to the cutoff wavelength of GaN.
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Literatur
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Metadaten
Titel
Dependence of electrical field and photoresponse on multiplication region thickness for GaN APDs
verfasst von
Jingjing Wanyan
Zhaoqi Sun
Shiwei Shi
Mingzai Wu
Gang He
Guang Li
Publikationsdatum
01.10.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 10/2014
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-013-9857-z

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