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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 10/2014

01.10.2014

Physical modeling and simulation of a high-performance charge sensitive infrared phototransistor

verfasst von: L. Ding, P. Xu, Y. Q. Li, F. M. Guo

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 10/2014

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Abstract

Charge sensitive infrared phototransistors are well known for their capability for response spectrum tuning and single photon detection. In this paper, we established a physical model for a charge sensitive infrared phototransistor operating at \(45\,\upmu \hbox {m}\) wavelength using Crosslight Apsys software. Several key physical mechanisms involved such as inter-subband optical transition and resonant tunneling of carriers were applied and fine tuned to obtain a better simulation result. The calculated absorption spectrum and the simulated data graphs demonstrate that this cell can be used for long wavelength detection with relatively high sensitivity.
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Metadaten
Titel
Physical modeling and simulation of a high-performance charge sensitive infrared phototransistor
verfasst von
L. Ding
P. Xu
Y. Q. Li
F. M. Guo
Publikationsdatum
01.10.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 10/2014
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-013-9808-8

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