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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2019

01.11.2019 | FABRICATION, TREATMENT, AND TESTING OF MATERIALS AND STRUCTURES

Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching

verfasst von: Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolayev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2019

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Abstract

The ion-beam etching of AlGaAs/GaAs heterostructures gives rise to radiation defects and, as a result, leads to photoluminescence quenching. Annealing at 620°C in an atmosphere of As almost completely restores the quantum efficiency of photoluminescence in the case of radiation-induced defects lying at a distance of up to 150 nm from the heterointerface.
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Literatur
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Metadaten
Titel
Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching
verfasst von
Ya. V. Levitskii
M. I. Mitrofanov
G. V. Voznyuk
D. N. Nikolayev
M. N. Mizerov
V. P. Evtikhiev
Publikationsdatum
01.11.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619110101

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