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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/1999

01.10.1999 | Amorphous, Glassy, and Porous Semiconductors

Variation of the parameters and composition of thin films of porous silicon as a result of oxidation: Ellipsometric studies

verfasst von: E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. D. Remenyuk, V. B. Shuman, V. A. Tolmachev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/1999

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Metadaten
Titel
Variation of the parameters and composition of thin films of porous silicon as a result of oxidation: Ellipsometric studies
verfasst von
E. V. Astrova
V. B. Voronkov
A. D. Remenyuk
V. B. Shuman
V. A. Tolmachev
Publikationsdatum
01.10.1999
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/1999
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1187885

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