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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2000

01.09.2000 | Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

Oxygen-containing radiation defects in Si1−x Gex

verfasst von: Yu. V. Pomozov, M. G. Sosnin, L. I. Khirunenko, V. I. Yashnik, N. V. Abrosimov, W. Schröder, M. Höhne

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2000

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Metadaten
Titel
Oxygen-containing radiation defects in Si1−x Gex
verfasst von
Yu. V. Pomozov
M. G. Sosnin
L. I. Khirunenko
V. I. Yashnik
N. V. Abrosimov
W. Schröder
M. Höhne
Publikationsdatum
01.09.2000
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2000
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1309399

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