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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2011

01.05.2011 | Physics of Semiconductor Devices

Characteristics study of 2DEG transport properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT

verfasst von: T. R. Lenka, A. K. Panda

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2011

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Metadaten
Titel
Characteristics study of 2DEG transport properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT
verfasst von
T. R. Lenka
A. K. Panda
Publikationsdatum
01.05.2011
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2011
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782611050198

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