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Erschienen in:

1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Metastabile and Multiply-Charged Individual Defects at the Si:SiO2 Interface

verfasst von : M. J. Kirton, M. J. Uren, S. Collins

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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In small-area silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), the fluctuating occupancy of individual Si:SiO₂ interface states generates Random Telegraph Signals (RTSs) in the drain current. We have observed a new class of RTS which exhibits anomalous behaviour. We demonstrate that these signals are due to individual interface states which can exist in two or more charge-equivalent metastable states. We present results on a single defect which exhibits two-electron capture, metastability and negative-U-like behaviour.

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Titel: Metastabile and Multiply-Charged Individual Defects at the Si:SiO2 Interface
verfasst von: M. J. Kirton
M. J. Uren
S. Collins
Verlag: Springer US
Buch: The Physics and Technology of Amorphous SiO2
Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988
DOI: https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_36

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