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Erschienen in: Journal of Materials Science 16/2006

01.08.2006 | Letter

Microdefects induced by cavitation for gettering in silicon wafer

verfasst von: Dan O. Macodiyo, Hitoshi Soyama, Takashi Masakawa, Kazuo Hayashi

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 16/2006

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Excerpt

The semiconductor industry is not only obsessed by the cleanliness of the processing methods but also the decreasing dimensional scale of components. Contamination, from trace amounts of metals, can alter the electrical properties of silicon devices and even cause them to fail. Gettering, a process in which metallic components are trapped in the bulk of wafer, is used to reduce contamination on the active device surface. …

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Literatur
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Metadaten
Titel
Microdefects induced by cavitation for gettering in silicon wafer
verfasst von
Dan O. Macodiyo
Hitoshi Soyama
Takashi Masakawa
Kazuo Hayashi
Publikationsdatum
01.08.2006
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 16/2006
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-006-0144-2

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