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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 3/2002

01.03.2002 | Regular Issue Paper

Molecular-beam epitaxial growth and high-temperature performance of HgCdTe midwave infrared detectors

verfasst von: T. J. De Lyon, J. E. Jensen, I. Kasai, G. M. Venzor, K. Kosai, J. B. de Bruin, W. L. Ahlgren

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 3/2002

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Metadaten
Titel
Molecular-beam epitaxial growth and high-temperature performance of HgCdTe midwave infrared detectors
verfasst von
T. J. De Lyon
J. E. Jensen
I. Kasai
G. M. Venzor
K. Kosai
J. B. de Bruin
W. L. Ahlgren
Publikationsdatum
01.03.2002
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 3/2002
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-002-0210-8

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