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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 1/2011

Open Access 01.01.2011

Molecular Beam Epitaxial Regrowth of Antimonide-Based Semiconductors

verfasst von: Matthew Reason, Brian R. Bennett, Richard Magno, J. Brad Boos

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2011

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Metadaten
Titel
Molecular Beam Epitaxial Regrowth of Antimonide-Based Semiconductors
verfasst von
Matthew Reason
Brian R. Bennett
Richard Magno
J. Brad Boos
Publikationsdatum
01.01.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 1/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-010-1399-6

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