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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2017

01.11.2017 | XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017

Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors

verfasst von: N. A. Maleev, V. A. Belyakov, A. P. Vasil’ev, M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, A. G. Kuzmenkov, V. N. Nevedomskii, Yu. A. Guseva, S. N. Maleev, I. V. Ladenkov, E. L. Fefelova, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2017

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Metadaten
Titel
Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors
verfasst von
N. A. Maleev
V. A. Belyakov
A. P. Vasil’ev
M. A. Bobrov
S. A. Blokhin
M. M. Kulagina
A. G. Kuzmenkov
V. N. Nevedomskii
Yu. A. Guseva
S. N. Maleev
I. V. Ladenkov
E. L. Fefelova
A. G. Fefelov
V. M. Ustinov
Publikationsdatum
01.11.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617110185

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