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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 2/2017

01.02.2017

Mutual influence of Auger and non-radiative recombination processes under silicon femtosecond laser irradiation

verfasst von: Alexandra Shamova, Galina Shandybina, Evgeny Yakovlev, Alexandra Georgieva

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 2/2017

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Abstract

The results of theoretical study of the contribution of recombination processes in additional heating of the surface of monocrystalline silicon during multipulse femtosecond laser processing are presented to discussion. The numerical evaluations are made in regimes of the laser radiation below the ablation threshold, when the microgeometry of the surface is formed due to the processes of self-organization. The influence of Auger recombination processes on the photoexcitation of the semiconductor during the pulse and relaxation after the pulse is studied in detail. It is shown that the additional heating of the surface due to non-radiative recombination is extremely small at pulse repetition rate 10 Hz–1 MHz. Mutual influence of recombination processes of both types is shown.
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Literatur
Ashitkov, S.I., Ovchinnikov, A.V., Agranat, M.B.: Recombination of an electron-hole plasma in silicon under the action of femtosecond laser pulses. JETP Lett. 79, 529–531 (2004)ADSCrossRef
Beck, J.D., Conradt, R.: Auger-recombination in Si. Solid State Commun. 13, 93–95 (1973)ADSCrossRef
Cerami, L., Mazur, L.E., Nolte, S., Schaffer, C.B.: Femtosecond laser Micromachining. Ultrafast Nonlinear Optics, Chapter 12. Springer, New York (2013)
Gerlach, W., Schlangenotto, H., Maeder, H.: On the radiative recombination rate in silicon. Phys. Status Solidi A 13, 277–283 (1972)ADSCrossRef
Guk, I., Shandybina, G., Yakovlev, E.: Infuence of accumulation effects on heating of silicon surface by femtosecond laser pulses. Appl. Surf. Sci. 335, 851–855 (2015)ADSCrossRef
Guk, I.V., Shandybina, G.D., Yakovlev, E.B., Shamova, A.A.: Role of recombination processes during multipulse femtosecond microstructuring of silicon surface. Opt. Quantum Electron. 48, 1–10 (2016)CrossRef
Harzic, R., Schuck, H., Sauer, D., Anhut, T., Riemann, I., König, K.: Sub-100 nm nanostructuring of silicon by ultrashort laser pulses. Opt. Express 13, 6651–6656 (2005)ADSCrossRef
Hawley M.J.: High pressure studies of strained layer semiconductor’ lasers. Ph.D. thesis, University of Surrey, (1993)
Hopkins, P.E., Barnat, E.V., Cruz-Campa, J.L., Grubbs, R.K., Okandan, M., Nielson, G.N.: Excitation rate dependence of Auger recombination in silicon. J. Appl. Phys. 107, 1–6 (2010)CrossRef
Li, C.-M., Sjodin, T., Dai, H.-L.: Photoexcited carrier diffusion near a Si(111) surface: non-negligible consequence of carrier-carrier scattering. Phys. Rev. B 56, 15252–15255 (1997)ADSCrossRef
Martsinovsky, G.A., Shandybina, G.D., Dement’eva, Y.S., Dyukin, R.V., Zabotnov, S.V., Golovan’, L.A., Kashkarov, P.K.: Generation of surface electromagnetic waves in semiconductors under the action of femtosecond laser pulses. Semiconductors 43, 1298–1304 (2009)ADSCrossRef
Ruzicka, B.A.: Ultrafast optical studies of electronic dynamics in semiconductors. Ph.D. thesis, University of Kansas (2012)
Tan, B., Venkatakrishnan, K.: A femtosecond laser-induced periodical surface structure on crystalline silicon. J. Micromech. Microeng. 16, 1–6 (2006)CrossRef
Veiko, V.P., Libenson, M.N., Chervyakov, G.G., Yakovlev, E.B.: Vzaimodeistvie Lazernogo Izlucheniya s Veshchestvom [Interaction of Laser Radiation with Matter]. Fizmatlit, Moscow (2008)
Willardson, R.K., Weber, E.R., Tsen, K.T.: Ultrafast Physical Processes in Semiconductors. Elsevier, Amsterdam (2000)
Yakovlev, E.B., Sergaeva, O.N., Svirina, V.V., Yarchuk, M.V.: Modeling of thin Cr film oxidation under the action of ultrashort laser pulses. SPIE 9065, 906509-1-906509-6 (2013)
Zhu, J., Li, W., Zhao, M., Yin, G., Chen, X., Chen, D., Zhao, L.: Silicon microstructuring using ultrashort laser pulses. Lasers in Material Processing and Manufacturing II. Proc. SPIE, 5629, 276–283 (2005)ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Mutual influence of Auger and non-radiative recombination processes under silicon femtosecond laser irradiation
verfasst von
Alexandra Shamova
Galina Shandybina
Evgeny Yakovlev
Alexandra Georgieva
Publikationsdatum
01.02.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 2/2017
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-017-0911-0

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