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2009 | OriginalPaper | Buchkapitel

2. Nanometer Transistors and Their Models

verfasst von : Jan Rabaey

Erschienen in: Low Power Design Essentials

Verlag: Springer US

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Excerpt

As has become apparent in Chapter 1, the behavior of the MOS transistor, when scaled into the sub-100 nm regime, is having a large impact on how and where power is consumed in the next-generation integrated circuits. Hence, any discussion on low-power design should start with a good understanding of the deep submicron MOS transistor, and an analysis of its future trends. In addition, the availability of adequate models, for both manual and computer-aided analysis, is essential. As this book emphasizes optimization, simple yet accurate models that can serve in an automated (MATLAB-style) optimization framework are introduced.

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Metadaten
Titel
Nanometer Transistors and Their Models
verfasst von
Jan Rabaey
Copyright-Jahr
2009
Verlag
Springer US
DOI
https://doi.org/10.1007/978-0-387-71713-5_2

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