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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 8/2011

01.08.2011

Nonvolatile Silicon Memory Using GeO x -Cladded Ge Quantum Dots Self-Assembled on SiO2 and Lattice-Matched II–VI Tunnel Insulator

verfasst von: M. Gogna, E. Suarez, P.-Y. Chan, F. Al-Amoody, S. Karmakar, F. Jain

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 8/2011

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Metadaten
Titel
Nonvolatile Silicon Memory Using GeO x -Cladded Ge Quantum Dots Self-Assembled on SiO2 and Lattice-Matched II–VI Tunnel Insulator
verfasst von
M. Gogna
E. Suarez
P.-Y. Chan
F. Al-Amoody
S. Karmakar
F. Jain
Publikationsdatum
01.08.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 8/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-011-1685-y

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