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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2018

01.05.2018 | XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Characterization

Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

verfasst von: I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekian, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2018

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Metadaten
Titel
Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate
verfasst von
I. V. Shtrom
N. G. Filosofov
V. F. Agekian
M. B. Smirnov
A. Yu. Serov
R. R. Reznik
K. E. Kudryavtsev
G. E. Cirlin
Publikationsdatum
01.05.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618050299

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