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Journal of Materials Science
Erschienen in: Journal of Materials Science 20/2004

01.10.2004

Optical quenching behavior related to the deep levels in unintentionally doped n-type GaN epilayers grown on sapphire substrates

verfasst von: N. H. Kim, T. W. Kang, T. W. Kim

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 20/2004

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Metadaten
Titel
Optical quenching behavior related to the deep levels in unintentionally doped n-type GaN epilayers grown on sapphire substrates
verfasst von
N. H. Kim
T. W. Kang
T. W. Kim
Publikationsdatum
01.10.2004
Verlag
Kluwer Academic Publishers
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 20/2004
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1023/B:JMSC.0000043604.83234.1f

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