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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2017

01.05.2017 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice

verfasst von: A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2017

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Metadaten
Titel
Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice
verfasst von
A. S. Grashchenko
N. A. Feoktistov
A. V. Osipov
E. V. Kalinina
S. A. Kukushkin
Publikationsdatum
01.05.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617050086

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