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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 4/2015

01.04.2015

Photoluminescence enhancement of YAG:Ce nanophosphors with SiO2 additions

verfasst von: Huajun Wu, Tiecheng Lu, Nian Wei, Zhongwen Lu, Xingtao Chen, Yongbing Guan, Yu Zhao, Jianqi Qi, Qiwu Shi, Xiumin Xie, Wei Zhang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 4/2015

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Abstract

Co-precipitated Y3Al5O12:Ce nanophosphors with enhanced photoluminescence (PL) intensity were synthesized by introducing SiO2 in the precursor. The role of SiO2 on morphologies, PL enhancement and valence state of Ce was investigated by varying the amounts of SiO2 from 0 to 1.0 wt%. The SiO2 addition inhibited the crystal growth owing to the appearance of second phase. However, the PL intensity of YAG:Ce was largely improved with SiO2 addition. The reason for the PL enhancement was that the incorporation of Si4+ into the YAG host suppressed the further oxidation of Ce3+ to Ce4+ owing to charge compensation.
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Metadaten
Titel
Photoluminescence enhancement of YAG:Ce nanophosphors with SiO2 additions
verfasst von
Huajun Wu
Tiecheng Lu
Nian Wei
Zhongwen Lu
Xingtao Chen
Yongbing Guan
Yu Zhao
Jianqi Qi
Qiwu Shi
Xiumin Xie
Wei Zhang
Publikationsdatum
01.04.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 4/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-2705-0

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