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2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Preliminary Comparison of DUV Scatterometry for CD and Edge Profile Metrology on EUV Masks

verfasst von : Johannes Endres, Bernd Bodermann, Gaoliang Dai, Matthias Wurm, Mark-Alexander Henn, Hermann Gross, Frank Scholze, Alexander Diener

Erschienen in: Fringe 2013

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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According to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) the semiconductor industry will start to apply Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography for printing high-end electronic circuits within the next few years. For the critical dimensional structure parameters like CD, sidewall angle and line edge roughness (LER) besides SEM also atomic force microscopy (AFM) and scatterometry will be important metrology methods.

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Metadaten
Titel
Preliminary Comparison of DUV Scatterometry for CD and Edge Profile Metrology on EUV Masks
verfasst von
Johannes Endres
Bernd Bodermann
Gaoliang Dai
Matthias Wurm
Mark-Alexander Henn
Hermann Gross
Frank Scholze
Alexander Diener
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Fringe 2013

Print ISBN: 978-3-642-36358-0

Electronic ISBN: 978-3-642-36359-7

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-36359-7_128