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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2014

01.05.2014 | Physics of Semiconductor Devices

Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping

verfasst von: V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2014

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Metadaten
Titel
Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping
verfasst von
V. M. Lukashin
A. B. Pashkovskii
K. S. Zhuravlev
A. I. Toropov
V. G. Lapin
E. I. Golant
A. A. Kapralova
Publikationsdatum
01.05.2014
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782614050121

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