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Erschienen in:

Open Access 01.04.2011

Quantitative and Depth-Resolved Investigation of Deep-Level Defects in InGaN/GaN Heterostructures

verfasst von: A. Armstrong, M. H. Crawford, D. D. Koleske

Titel: Quantitative and Depth-Resolved Investigation of Deep-Level Defects in InGaN/GaN Heterostructures
verfasst von: A. Armstrong
M. H. Crawford
D. D. Koleske
Publikationsdatum: 01.04.2011
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Electronic Materials / Ausgabe 4/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-010-1453-4