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Erschienen in:
Rauschen in elektronischen Schaltungen Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2015 | OriginalPaper | Buchkapitel

7. Rauschmechanismen in Transistoren

verfasst von : Albrecht Zwick, Jochen Zwick, Xuan Phuc Nguyen

Erschienen in: Signal- und Rauschanalyse mit Quellenverschiebung

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Zusammenfassung

In diesem Kapitel wird das Rauschen von Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren in verschiedenen Frequenzbereichen hergeleitet und ihre Eisatzbereiche dargestellt.

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Literatur
[MF73]
C.D. Motchenbacher, F.C. Fitchen. Low-Noise Electronic Design. Wiley, New York, 1973.
[MJ93]
C.D. Motchenbacher, J.A. Connelly. Low-Noise Electronic System Design. Crystal Dreams Pub, Berlin, 1993. Eine optionale Notiz.
Metadaten
Titel
Rauschmechanismen in Transistoren
verfasst von
Albrecht Zwick
Jochen Zwick
Xuan Phuc Nguyen
Copyright-Jahr
2015
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Signal- und Rauschanalyse mit Quellenverschiebung

Print ISBN: 978-3-642-54036-3

Electronic ISBN: 978-3-642-54037-0

Copyright-Jahr: 2015

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-54037-0_7

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    Bildnachweise