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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/1998

01.06.1998

Recent developments in the growth and characterization of potassium lithium niobate (KLN) crystals for direct doubling of semiconductor lasers

verfasst von: Q Jiang, T. P. J Han, H. G Gallagher

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/1998

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Metadaten
Titel
Recent developments in the growth and characterization of potassium lithium niobate (KLN) crystals for direct doubling of semiconductor lasers
verfasst von
Q Jiang
T. P. J Han
H. G Gallagher
Publikationsdatum
01.06.1998
Verlag
Kluwer Academic Publishers
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/1998
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1023/A:1008874007478

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