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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 8/2011

01.08.2011

Reduction of Dislocation Density in HgCdTe on Si by Producing Highly Reticulated Structures

verfasst von: A. J. Stoltz, J. D. Benson, M. Carmody, S Farrell, P. S. Wijewarnasuriya, G. Brill, R. Jacobs, Y. Chen

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 8/2011

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Metadaten
Titel
Reduction of Dislocation Density in HgCdTe on Si by Producing Highly Reticulated Structures
verfasst von
A. J. Stoltz
J. D. Benson
M. Carmody
S Farrell
P. S. Wijewarnasuriya
G. Brill
R. Jacobs
Y. Chen
Publikationsdatum
01.08.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 8/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-011-1697-7

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