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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 3/2017

22.12.2016

Resistive Switching Characteristics of 10-nm-Thick Amorphous HoScO x Films Doped with Nb and Zn

verfasst von: Sea-Fue Wang, Chia-Chun Hsu, Jinn P. Chu, Yi-Xin Liu, Liang-Wei Chen

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 3/2017

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Metadaten
Titel
Resistive Switching Characteristics of 10-nm-Thick Amorphous HoScO x Films Doped with Nb and Zn
verfasst von
Sea-Fue Wang
Chia-Chun Hsu
Jinn P. Chu
Yi-Xin Liu
Liang-Wei Chen
Publikationsdatum
22.12.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 3/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5185-y

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