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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 10/2014

01.10.2014

Simulation of a ridge-type semiconductor laser with horizontal coupling of lateral modes

verfasst von: Guowei Chai, Takahiro Numai

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 10/2014

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Abstract

A ridge-type semiconductor laser with horizontal coupling of lateral modes is proposed, and lasing characteristics are simulated. A groove is formed in the center of the mesa, and the lateral modes of the laser beams are determined by the coupling of the lateral modes confined by the two ridges, which are formed in the mesa. With an increase in the depth of the groove, light output operating in the fundamental lateral mode is enhanced and threshold current is decreased. When the depth of the groove is \(1.2\,\upmu \hbox {m}\) and the width of the groove is \(<\)1.98 \(\upmu \hbox {m}\), the kink does not appear up to the injected current of 2 A.
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Metadaten
Titel
Simulation of a ridge-type semiconductor laser with horizontal coupling of lateral modes
verfasst von
Guowei Chai
Takahiro Numai
Publikationsdatum
01.10.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 10/2014
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-013-9821-y

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