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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2017

01.02.2017 | Physics of Semiconductor Devices

Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers

verfasst von: Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, E. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maximov, E. S. Semenova, K. Yvind, L. V. Asryan, A. E. Zhukov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2017

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Metadaten
Titel
Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers
verfasst von
Yu. S. Polubavkina
F. I. Zubov
E. I. Moiseev
N. V. Kryzhanovskaya
M. V. Maximov
E. S. Semenova
K. Yvind
L. V. Asryan
A. E. Zhukov
Publikationsdatum
01.02.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617020142

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