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Journal of Electroceramics
Erschienen in: Journal of Electroceramics 3-4/2007

01.08.2007

Structural and dielectric properties of epitaxial Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films grown on Si substrates with thin SrO buffer layers

verfasst von: Hyun-Suk Kim, Tae-Seon Hyun, Ho-Gi Kim, Tae-Soon Yun, Jong-Chul Lee, Il-Doo Kim

Erschienen in: Journal of Electroceramics | Ausgabe 3-4/2007

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Abstract

(100) epitaxial Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films were grown on Si substrates using a 9 nm thick SrO buffer layer. The phase shifter fabricated on BST films grown on a SrO buffered Si substrate showed a larger figure of merit (FOM) of 24.7°/dB as a result of improving the phase tuning while retaining an appropriate insertion loss compared to that (15.3°/dB) for the BST/MgO structure. This work demonstrates that a thin SrO buffer layer plays an important role in the successful integration of BST-based microwave tunable devices onto Si wafers.
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Metadaten
Titel
Structural and dielectric properties of epitaxial Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films grown on Si substrates with thin SrO buffer layers
verfasst von
Hyun-Suk Kim
Tae-Seon Hyun
Ho-Gi Kim
Tae-Soon Yun
Jong-Chul Lee
Il-Doo Kim
Publikationsdatum
01.08.2007
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electroceramics / Ausgabe 3-4/2007
Print ISSN: 1385-3449
Elektronische ISSN: 1573-8663
DOI
https://doi.org/10.1007/s10832-007-9167-6

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