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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 12/2016

20.10.2016

Structural and Optical Characteristics of GeSn Quantum Wells for Silicon-Based Mid-Infrared Optoelectronic Applications

verfasst von: Wei Dou, Seyed Amir Ghetmiri, Sattar Al-Kabi, Aboozar Mosleh, Yiyin Zhou, Bader Alharthi, Wei Du, Joe Margetis, John Tolle, Andrian Kuchuk, Mourad Benamara, Baohua Li, Hameed A. Naseem, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 12/2016

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Metadaten
Titel
Structural and Optical Characteristics of GeSn Quantum Wells for Silicon-Based Mid-Infrared Optoelectronic Applications
verfasst von
Wei Dou
Seyed Amir Ghetmiri
Sattar Al-Kabi
Aboozar Mosleh
Yiyin Zhou
Bader Alharthi
Wei Du
Joe Margetis
John Tolle
Andrian Kuchuk
Mourad Benamara
Baohua Li
Hameed A. Naseem
Mansour Mortazavi
Shui-Qing Yu
Publikationsdatum
20.10.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5031-2

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