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Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology 2/2015

01.05.2015 | Original Paper

Structural, magnetic and dielectric properties of spinel MgFe2O4 by sol–gel route

verfasst von: M. Azam, S. Riaz, A. Akbar, S. Naseem

Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology | Ausgabe 2/2015

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Abstract

Importance of spinel ferrites arises due to their technological and industrial applications in electronic and spintronic devices. Among magnetic ferrites with formula XFe2O4 (where X = Co, Ni, etc.), magnesium ferrite, with unique magnetic properties along with n-type conductivity, has significant advantage over other spinel ferrites. In this work MgFe2O4 sols and thin films are prepared using sol–gel and spin coating method. Mg/Fe ratio is varied as 0.4, 0.45, 0.5, 0.55, 0.6. Magnetic properties of sols indicate presence of single magnetic phase with Mg/Fe ratio of 0.55. Variation in Mg/Fe ratio during sol synthesis not only affects the magnetic properties but also affects phase purity of magnesium iron oxide thin films. Presence of diffraction peaks corresponding to (220), (222), (400), (331) and (620) planes confirm the formation of MgFe2O4 at low annealing temperature of 300 °C with Mg/Fe ratio of 0.55. This is the lowest temperature that has ever been reported for the formation of phase pure MgFe2O4 thin films. Phase purity at Mg/Fe ratio of 0.55 also results in high dielectric constant and low dielectric loss. Arrhenius plot for conductivity shows semiconducting behavior due to electron hopping between Fe2+ and Fe3+ cations. Moreover, strong magnetic behavior with high saturation magnetization of 163 emu/cm3 is obtained with Mg/Fe ratio of 0.55. Saturation magnetization decrease with Mg/Fe 0.4, 0.45, 0.5 and 0.6.

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Metadaten
Titel
Structural, magnetic and dielectric properties of spinel MgFe2O4 by sol–gel route
verfasst von
M. Azam
S. Riaz
A. Akbar
S. Naseem
Publikationsdatum
01.05.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Sol-Gel Science and Technology / Ausgabe 2/2015
Print ISSN: 0928-0707
Elektronische ISSN: 1573-4846
DOI
https://doi.org/10.1007/s10971-014-3529-8

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