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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2006

01.05.2006 | Low-Dimensional Systems

Studies of physical phenomena in semiconductor nanostructures using samples with laterally nonuniform layers. Photoluminescence of structures with n-type δ-doped layers

verfasst von: Yu. V. Khabarov, V. V. Kapaev, V. A. Petrov, G. B. Galiev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2006

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Metadaten
Titel
Studies of physical phenomena in semiconductor nanostructures using samples with laterally nonuniform layers. Photoluminescence of structures with n-type δ-doped layers
verfasst von
Yu. V. Khabarov
V. V. Kapaev
V. A. Petrov
G. B. Galiev
Publikationsdatum
01.05.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606050095

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