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Erschienen in: Semiconductors 5/2006

01.05.2006 | Physics of Semiconductor Devices

Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs

verfasst von: A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Lavrinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, Yu. G. Shreter

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2006

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Metadaten
Titel
Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs
verfasst von
A. A. Efremov
N. I. Bochkareva
R. I. Gorbunov
D. A. Lavrinovich
Yu. T. Rebane
D. V. Tarkhin
Yu. G. Shreter
Publikationsdatum
01.05.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606050162

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