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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2006

01.05.2006 | Electronic and Optical Properties of Semiconductors

Magnetotransport properties of type II heterojunctions based on GaInAsSb/InAs and GaInAsSb/GaSb

verfasst von: T. I. Voronina, T. S. Lagunova, M. P. Mikhaĭlova, K. D. Moiseev, A. F. Lipaev, Yu. P. Yakovlev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2006

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Metadaten
Titel
Magnetotransport properties of type II heterojunctions based on GaInAsSb/InAs and GaInAsSb/GaSb
verfasst von
T. I. Voronina
T. S. Lagunova
M. P. Mikhaĭlova
K. D. Moiseev
A. F. Lipaev
Yu. P. Yakovlev
Publikationsdatum
01.05.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606050022

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