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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2006

01.05.2006 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Transformation of electrically active defects as a result of annealing of silicon implanted with high-energy ions

verfasst von: I. V. Antonova, S. S. Shaĭmeev, S. A. Smagulova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2006

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Metadaten
Titel
Transformation of electrically active defects as a result of annealing of silicon implanted with high-energy ions
verfasst von
I. V. Antonova
S. S. Shaĭmeev
S. A. Smagulova
Publikationsdatum
01.05.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378260605006X

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