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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2006

01.05.2006 | Physics of Semiconductor Devices

High-power laser diodes (λ = 808–850 nm) based on asymmetric separate-confinement heterostructures

verfasst von: A. Yu. Andreev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ, A. A. Marmalyuk, T. A. Nalyot, A. A. Padalitsa, N. A. Pikhtin, D. R. Sabitov, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, M. A. Khomylev, I. S. Tarasov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2006

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Metadaten
Titel
High-power laser diodes (λ = 808–850 nm) based on asymmetric separate-confinement heterostructures
verfasst von
A. Yu. Andreev
A. Yu. Leshko
A. V. Lyutetskiĭ
A. A. Marmalyuk
T. A. Nalyot
A. A. Padalitsa
N. A. Pikhtin
D. R. Sabitov
V. A. Simakov
S. O. Slipchenko
M. A. Khomylev
I. S. Tarasov
Publikationsdatum
01.05.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606050174

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