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2016 | OriginalPaper | Buchkapitel

Study and Analysis of Subthreshold Leakage Current in Sub-65 nm NMOSFET

verfasst von : Krishna Kumar, Pratyush Dwivedi, Aminul Islam

Erschienen in: Information Systems Design and Intelligent Applications

Verlag: Springer India

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Abstract

As the technology scales down, the subthreshold leakage increases exponentially which leads to a dramatic increase in static power consumption especially in nanoscale devices. Consequently, it is very important to understand and estimate this leakage current so that various leakage minimization techniques can be devised. So in this paper we attempt to estimate the subthreshold leakage current in an NMOSFET at 16, 22, 32 and 45 nm technology nodes. Various factors which affect the subthreshold leakage such as temperature, drain induced barrier lowering (DIBL) and other short channel effects have also been explored. All the measurements are carried out using extensive simulation on HSPICE circuit simulator at various technology nodes.

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B.G. Streetman and S.K. Baneerjee, Solid State Electronic Devices, India: PHI Learning Private Ltd., 6th edition, ch. 6, sec. 6.4.4, pp. 284.
Metadaten
Titel
Study and Analysis of Subthreshold Leakage Current in Sub-65 nm NMOSFET
verfasst von
Krishna Kumar
Pratyush Dwivedi
Aminul Islam
Copyright-Jahr
2016
Verlag
Springer India
Buch
Information Systems Design and Intelligent Applications

Print ISBN: 978-81-322-2753-3

Electronic ISBN: 978-81-322-2755-7

Copyright-Jahr: 2016

DOI
https://doi.org/10.1007/978-81-322-2755-7_1

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