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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2018

01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Study of the Structural and Morphological Properties of HPHT Diamond Substrates

verfasst von: P. A. Yunin, P. V. Volkov, Yu. N. Drozdov, A. V. Koliadin, S. A. Korolev, D. B. Radischev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018

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Abstract

The morphological and structural properties of a series of high-pressure high-temperature (HPHT) single-crystal diamond substrates are comprehensively studied by white-light optical interference microscopy, atomic-force microscopy, and X-ray diffraction analysis. Procedures that provide a means for characterizing the substrate parameters most critical for epitaxial application with the laboratory equipment are described. It is shown that the jewelry-type characterization of diamond substrates is insufficient to assess the possibility of their use for the epitaxial growth of chemical-vapor-deposited (CVD) diamond.
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Metadaten
Titel
Study of the Structural and Morphological Properties of HPHT Diamond Substrates
verfasst von
P. A. Yunin
P. V. Volkov
Yu. N. Drozdov
A. V. Koliadin
S. A. Korolev
D. B. Radischev
E. A. Surovegina
V. I. Shashkin
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618110271

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