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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2018

01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates

verfasst von: K. E. Kudryatvsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasilnik

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018

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Abstract

Hybrid laser structures with AlGaInAs quantum wells are grown by metalorganic vapor phase epitaxy on Ge/Si(100) “virtual” substrates using GaAs and InP buffer layers. Stimulated emission is achieved under optical pumping of the prepared samples in the range of 1.3–1.5 μm at liquid-nitrogen temperature. The stimulated-emission threshold is 30–70 kW/cm2.
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Metadaten
Titel
Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates
verfasst von
K. E. Kudryatvsev
A. A. Dubinov
V. Ya. Aleshkin
D. V. Yurasov
P. V. Gorlachuk
Yu. L. Ryaboshtan
A. A. Marmalyuk
A. V. Novikov
Z. F. Krasilnik
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618110143

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