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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2023

01.06.2023

Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype

verfasst von: M. G. Mynbaeva, D. G. Amelchuk, A. N. Smirnov, I. P. Nikitina, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2023

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Abstract

An approach of direct bonding of SiC wafers of differing polytypes has been implemented in order to create a template for cubic 3C-SiC homo epitaxy. Hetero epitaxial 3C-SiC layers grown by chemical vapor deposition were transferred onto a hexagonal 6H-SiC wafer. The results of structural characterization showed that the quality of 3C-SiC sublimation epitaxy on the templates is comparable to the level of epitaxy of cubic silicon carbide by chemical vapor deposition method. It was confirmed that the 3C-SiC layer transferred onto the 6H-SiC substrate plays the role of a crystalline “seed” that determines cubic polytype of the overgrown SiC layer.
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Metadaten
Titel
Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype
verfasst von
M. G. Mynbaeva
D. G. Amelchuk
A. N. Smirnov
I. P. Nikitina
S. P. Lebedev
V. Yu. Davydov
A. A. Lebedev
Publikationsdatum
01.06.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782623080109

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