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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/2016

01.10.2016 | Surfaces, Interfaces, and Thin Films

The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4° layer and Cs/SiC/Si(111)-4° interface

verfasst von: G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2016

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Metadaten
Titel
The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4° layer and Cs/SiC/Si(111)-4° interface
verfasst von
G. V. Benemanskaya
P. A. Dementev
S. A. Kukushkin
M. N. Lapushkin
A. V. Osipov
B. V. Senkovskiy
Publikationsdatum
01.10.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616100080

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