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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2013

01.02.2013 | IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

The electrically active centers in oxygen-implanted silicon

verfasst von: A. S. Loshachenko, O. F. Vyvenko, E. I. Shek, N. A. Sobolev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2013

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Metadaten
Titel
The electrically active centers in oxygen-implanted silicon
verfasst von
A. S. Loshachenko
O. F. Vyvenko
E. I. Shek
N. A. Sobolev
Publikationsdatum
01.02.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613020164

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