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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2016

07.11.2015

The formation and conversion of intermetallic compounds in the Cu pillar Sn–Ag micro-bump with ENEPIG Cu substrate under current stressing

verfasst von: Yu-Hsiang Hsiao, Kwang-Lung Lin

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2016

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Abstract

The intermetallic compound growth behavior of Cu pillar micro-bump solder joint, with electroless Ni/electroless Pd/immersion Au (ENEPIG) metallization on substrate, was investigated with and without current stressing. The high volume of PdSn4 was formed in the as produced micro-bump joint. Electric current stressing caused the growth of and the conversion between PdSn4 and Ni3Sn4. The conversion of PdSn4 to Ni3Sn4 was accompanied by voids formation between the neighboring intermetallic compounds. The void formation was attributed to the volume difference between the two compounds.
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Metadaten
Titel
The formation and conversion of intermetallic compounds in the Cu pillar Sn–Ag micro-bump with ENEPIG Cu substrate under current stressing
verfasst von
Yu-Hsiang Hsiao
Kwang-Lung Lin
Publikationsdatum
07.11.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-4011-2

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