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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

The Influence of High Temperature Nitrogen Annealing on the Electrical Properties of Plasma Nitrided Oxides

verfasst von : J. Camargo da Costa, M. El-Sayed

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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The effect of nitrogen gas annealing on intrinsic electrical properties of thin plasma nitrided oxide films is studied. It is shown that nitridation related trap densities and other electrical properties have been considerably improved after a high temperature (1 000°C, 1 hour) nitrogen annealing.

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Metadaten
Titel
The Influence of High Temperature Nitrogen Annealing on the Electrical Properties of Plasma Nitrided Oxides
verfasst von
J. Camargo da Costa
M. El-Sayed
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_54

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