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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

The Role of Hole Traps in the Degradation of Thermally Grown SiO2 Layers

verfasst von : M. M. Heyns, R. F. De Keersmaecker

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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Due to the high fields present in small-geometry metal-oxide-semiconductor (MOS) transistors charge injection into the gate oxide can readily occur leading to serious reliability problems related to the degradation of the SiO2 layer and of the Si/SiO2 interface. It is therefore extremely important to have a thorough understanding of the degradation mechanisms occurring upon charge injection.

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Metadaten
Titel
The Role of Hole Traps in the Degradation of Thermally Grown SiO2 Layers
verfasst von
M. M. Heyns
R. F. De Keersmaecker
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_53

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