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2008 | OriginalPaper | Buchkapitel

The sensing mechanism and the response simulation of the MIS hydrogen sensor

verfasst von : Linfeng Zhang, Erik McCullen, Lajos Rimai, K. Y. Simon Ng, Ratna Naik, Gregory Auner

Erschienen in: Advances in Computer and Information Sciences and Engineering

Verlag: Springer Netherlands

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alloy gated metal-insulator-semiconductor (MIS) hydrogen sensor has been studied. A new sensing mechanism is proposed that the sensor response is related to the protons. The capacitance-voltage (CV) curve, conductance-voltage (GV) curve, and the sensor response are simulated.

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Metadaten
Titel
The sensing mechanism and the response simulation of the MIS hydrogen sensor
verfasst von
Linfeng Zhang
Erik McCullen
Lajos Rimai
K. Y. Simon Ng
Ratna Naik
Gregory Auner
Copyright-Jahr
2008
Verlag
Springer Netherlands
Buch
Advances in Computer and Information Sciences and Engineering

Print ISBN: 978-1-4020-8740-0

Electronic ISBN: 978-1-4020-8741-7

Copyright-Jahr: 2008

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8741-7_49

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