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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 18/2017

30.05.2017

The structural, optical and thermoelectric properties of single target sputtered Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film

verfasst von: Yang Zeng, Guangxing Liang, Ping Fan, Yizhu Xie, Bo Fan, Juguang Hu, Zhuanghao Zheng, Xianghua Zhang, Jingting Luo, Dongping Zhang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 18/2017

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Abstract

Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) thin film was fabricated by radio frequency magnetron sputtering single CZTSSe target without post-selenization or sulfuration. The formation of kesterite-type CZTSSe films with a nearly stoichiometric composition after in-situ annealing at 673 K can be achieved. The valence of the elements in CZTSSe films are Cu(I), Zn(II), Sn(IV), S(-II) and Se(-II). Optical transmission and absorption spectroscopy measurement reveal high absorption and the energy band gap is about 1.44 eV. The CZTSSe thin film is of p-type conductivity and high Seebeck coefficient value is of 450 μV/K.
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Metadaten
Titel
The structural, optical and thermoelectric properties of single target sputtered Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film
verfasst von
Yang Zeng
Guangxing Liang
Ping Fan
Yizhu Xie
Bo Fan
Juguang Hu
Zhuanghao Zheng
Xianghua Zhang
Jingting Luo
Dongping Zhang
Publikationsdatum
30.05.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 18/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-7221-y

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