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2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

2. Theory of the Piezoresistive Effect in p-Type 3C-SiC

verfasst von : Hoang-Phuong Phan

Erschienen in: Piezoresistive Effect of p-Type Single Crystalline 3C-SiC

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

This chapter qualitatively explains the piezoresistive effect in p-type 3C-SiC based on the hole transfer mechanism and the conduction effective mass change due to the deformation of energy band under strain. To explain this phenomenon, the ideas of energy band structure and band deformation of 3C-SiC are discussed. Furthermore, the description of piezoresistive coefficients are also presented in the rest of this chapter.

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Metadaten
Titel
Theory of the Piezoresistive Effect in p-Type 3C-SiC
verfasst von
Hoang-Phuong Phan
Copyright-Jahr
2017
Buch
Piezoresistive Effect of p-Type Single Crystalline 3C-SiC

Print ISBN: 978-3-319-55543-0

Electronic ISBN: 978-3-319-55544-7

Copyright-Jahr: 2017

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-55544-7_2

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    Bildnachweise