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2018 | OriginalPaper | Buchkapitel

Thermal Stability of Er2O3–Al2O3 Thin Films Grown on Si Substrates

verfasst von : Xiaojie Pan, Zhifang Zhang, Yanyan Zhu, Zebo Fang, Haijing Cao

Erschienen in: Advanced Functional Materials

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

The thermal stability of Er2O3 and Al2O3 doped Er2O3 thin films deposited on Si substrates has been investigated by x-ray diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy. The structures for the as-grown Er2O3 and Al2O3 doped Er2O3 films on Si substrates are found to convert from amorphous to polycrystalline at the annealing temperatures above 450 °C in O2 ambience. The crystallinity and the surfaces roughness of Er2O3 thin films on p-type Si (001) substrates are decreased if Al2O3 is doped in them. However, the result is complicated if these Er2O3 and Al2O3 doped Er2O3 thin films deposited on n-type Si(001) substrates.

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Literatur
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Zurück zum Zitat B. Yao, Z.B. Fang, Y.Y. Zhu, T. Ji, G. He, A model for the frequency dispersion of the high-k metal-oxide-semiconductor capacitance in accumulation. Appl. Phys. Lett. 100, 222903–222905 (2012)CrossRef B. Yao, Z.B. Fang, Y.Y. Zhu, T. Ji, G. He, A model for the frequency dispersion of the high-k metal-oxide-semiconductor capacitance in accumulation. Appl. Phys. Lett. 100, 222903–222905 (2012)CrossRef
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Zurück zum Zitat T.M. Pan, C.L. Chen, W.W. Yeh, S.J. Hou, Structural and electrical characteristics of thin erbium oxide gate dielectrics. Appl. Phys. Lett. 89, 222912–222915 (2006)CrossRef T.M. Pan, C.L. Chen, W.W. Yeh, S.J. Hou, Structural and electrical characteristics of thin erbium oxide gate dielectrics. Appl. Phys. Lett. 89, 222912–222915 (2006)CrossRef
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Zurück zum Zitat M.P. Singh, C.S. Thakur, K. Shalini, N. Bhat, S.A. Shivashankar, Structural and electrical characterization of erbium oxide films grown on Si(100) by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett. 83, 2889–2892 (2003)CrossRef M.P. Singh, C.S. Thakur, K. Shalini, N. Bhat, S.A. Shivashankar, Structural and electrical characterization of erbium oxide films grown on Si(100) by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett. 83, 2889–2892 (2003)CrossRef
Metadaten
Titel
Thermal Stability of Er2O3–Al2O3 Thin Films Grown on Si Substrates
verfasst von
Xiaojie Pan
Zhifang Zhang
Yanyan Zhu
Zebo Fang
Haijing Cao
Copyright-Jahr
2018
Verlag
Springer Singapore
DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-13-0110-0_41

    Marktübersichten

    Die im Laufe eines Jahres in der „adhäsion“ veröffentlichten Marktübersichten helfen Anwendern verschiedenster Branchen, sich einen gezielten Überblick über Lieferantenangebote zu verschaffen.