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Erschienen in: Semiconductors 2/2013

01.02.2013 | IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Utilization of silicon detectors with “ideal-diode” current-voltage characteristics

verfasst von: V. L. Sukhanov, P. N. Aruev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskiy, M. S. Lazeeva, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2013

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Metadaten
Titel
Utilization of silicon detectors with “ideal-diode” current-voltage characteristics
verfasst von
V. L. Sukhanov
P. N. Aruev
M. V. Drozdova
N. V. Zabrodskaya
V. V. Zabrodskiy
M. S. Lazeeva
V. V. Filimonov
E. V. Sherstnev
Publikationsdatum
01.02.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613020206

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